兆馳、乾照光電、思坦科技、羅化芯、中科院等公布18項Micro LED專利

    近日，兆馳半導(dǎo)體、秋水半導(dǎo)體、爍軒半導(dǎo)體、 先禾新材料、羅化芯顯示科技、思坦科技、廈門未來顯示等企業(yè)以及湖南大學(xué)、福州大學(xué)、華中科技大學(xué)、武漢大學(xué)、閩都創(chuàng)新實驗室、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所等大學(xué)和科研機構(gòu)相繼公布多項Micro LED發(fā)明專利。

    這些發(fā)明專利針對當前Micro LED的痛點提出有效解決方案，分別實現(xiàn)簡化發(fā)光結(jié)構(gòu)、簡化驅(qū)動結(jié)構(gòu)、提高可靠性和良品率、解決刻蝕不凈現(xiàn)象、提升芯片的光電性能、提升發(fā)光效率，降低功耗、提高顯示均勻性，減少光串擾現(xiàn)象、提高飽和度、實現(xiàn)高分辨/高色域/高對比度性能、有效保護Micro‑LED芯片等技術(shù)改進。以下是Pjtime.com從國家知識產(chǎn)權(quán)局獲悉的近1月公布的部分Micro LED專利。

    秋水半導(dǎo)體：Micro-LED顯示設(shè)備，提高可靠性和良品率

    蘇州秋水半導(dǎo)體科技有限公司申請一項名為“ Micro-LED顯示設(shè)備”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119133205A，申請公布日為2024月12月13日，發(fā)明人為王前文。

    本申請公開了Micro‑LED顯示設(shè)備，Micro‑LED顯示設(shè)備包括襯底以及設(shè)置于襯底的主表面上的層系組合，其中沿垂直于主表面的方向觀察，層系組合劃分為顯示區(qū)和外圍區(qū)，顯示區(qū)包括以預(yù)定方式排列的多個功能層，并形成多個顯示像素，外圍區(qū)環(huán)繞設(shè)置于顯示區(qū)的外圍，并由顯示區(qū)中的一部分功能層延續(xù)形成，其中Micro‑LED顯示設(shè)備還包括隔離環(huán)，隔離環(huán)嵌設(shè)于外圍區(qū)內(nèi)，并隨顯示區(qū)中的另一部分功能層同步形成，隔離環(huán)環(huán)繞設(shè)置于顯示區(qū)的外圍，并與顯示區(qū)保持預(yù)定間隔。通過上述方法，本申請過能夠提高Micro‑LED顯示設(shè)備的可靠性和良品率。

    據(jù)悉，蘇州秋水半導(dǎo)體科技有限公司成立于2022年11月30日，其率先實現(xiàn)8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工藝通線，實現(xiàn)原子級平整界面控制，實現(xiàn)了>95%面積的完美貼合，率先實現(xiàn)8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工藝通線，并完成數(shù)字車燈產(chǎn)品的封裝工藝打通和驅(qū)動點亮。

    爍軒半導(dǎo)體： 一種面向Micro-LED顯示的驅(qū)動方法及芯片，降低功耗、提高顯示均勻性

    安徽爍軒半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種面向Micro-LED顯示的驅(qū)動方法及芯片”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119107901A，申請公布日為2024月12月10日，發(fā)明人為趙茂、張若平、劉振陽。

    本申請公開了一種面向Micro‑LED顯示的驅(qū)動方法及芯片，屬于涉及LED顯示技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取待顯示圖像的像素點總數(shù)；根據(jù)像素點總數(shù)，將待顯示圖像劃分為多個子區(qū)域，每個子區(qū)域包含由多個驅(qū)動單元組成的像素陣列；將每個像素點的灰度數(shù)據(jù)通過預(yù)設(shè)協(xié)議傳輸至對應(yīng)子區(qū)域的驅(qū)動單元；驅(qū)動單元接收行信號、灰度數(shù)據(jù)、基準電流以及時鐘信號作為輸入信號；當接收到行信號時，驅(qū)動單元將灰度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為PWM信號，PWM信號的占空比由灰度數(shù)據(jù)決定；根據(jù)PWM信號控制基準電流的輸出時間，從而生成與灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的驅(qū)動電流，驅(qū)動像素點發(fā)光。針對現(xiàn)有技術(shù)中Micro‑LED顯示驅(qū)動芯片功耗大，本申請在降低功耗的同時提高了顯示均勻性。

    安徽爍軒半導(dǎo)體有限公司成立于 2023年9月，是一家行業(yè)技術(shù)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計企業(yè)，全資收購并基于南京浣軒開展光電芯片驅(qū)動(控制)業(yè)務(wù)。主營產(chǎn)品為微顯示驅(qū)動、微背光驅(qū)動、微投影驅(qū)動及應(yīng)用解決方案，產(chǎn)品主要應(yīng)用在超高清顯示、車載顯示、車載微投影(前后大燈)等領(lǐng)域。已經(jīng)連續(xù)5年為央視春晚提供優(yōu)質(zhì)LED驅(qū)動芯片產(chǎn)品與綜合解決方案。今年4月，爍軒超高清顯示及車規(guī)級芯片項目開工。

    兆馳半導(dǎo)體：低電壓Micro-LED外延片及其制備方法，提升發(fā)光效率

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“ 低電壓Micro-LED外延片及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119069598A，申請公布日為2024月11月22日，發(fā)明人為胡加輝、鄭文杰、高虹、劉春楊、金從龍。

    本發(fā)明公開了一種低電壓Micro‑LED外延片及其制備方法、Micro‑LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。低電壓Micro‑LED外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層；其中，所述P型接觸層包括依次層疊于所述P型GaN層上的多孔AlInN層、二維P型BGaN層、AlN粗化層、P型BInGaN納米團簇層和P型AlInGaN粗化層；其中，所述多孔AlInN層通過H2刻蝕AlInN層制得，所述P型AlInGaN粗化層通過N2粗化P型AlInGaN層制得。實施本發(fā)明，可降低工作電壓，且提升光提取效率，進而提升發(fā)光效率。

    兆馳半導(dǎo)體：高光效Micro-LED外延片及其制備方法：提升發(fā)光效率

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“高光效Micro-LED外延片及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119050225A，申請公布日為2024月11月29日，發(fā)明人為胡加輝、鄭文杰、高虹、劉春楊、金從龍。

    本發(fā)明公開了一種高光效Micro‑LED外延片及其制備方法、Micro‑LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。Micro‑LED外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴擴展層、空穴存儲層和空穴層；空穴擴展層為周期性結(jié)構(gòu)，每個周期均包括依次層疊的BN層和Mg輕摻GaN層；空穴存儲層為周期性結(jié)構(gòu)，每個周期均包括依次層疊的GaN層、InGaN層和Mg摻AlGaN層；空穴層為周期性結(jié)構(gòu)，每個周期均包括依次層疊的P型BInGaN層、Mg3N2層和P型GaN層；P型GaN層的摻雜濃度≥1×1019cm‑3。實施本發(fā)明，可提升發(fā)光效率。

    兆馳半導(dǎo)體：一種Micro-LED芯片及其制備方法：提升良率

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種Micro-LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119008795A，申請公布日為2024月11月8日，發(fā)明人為汪恒青、張星星、胡加輝、金從龍。

    本發(fā)明公開了一種Micro‑LED芯片及其制備方法，該方法包括：提供一外延片；在P型半導(dǎo)體層上制作透明導(dǎo)電層；將制作透明導(dǎo)電層后的外延片放置于退火設(shè)備中進行退火處理；對P型半導(dǎo)體層與多量子阱層進行刻蝕，暴露出N型半導(dǎo)體層的表面以形成MESA臺面；在MESA臺面與透明導(dǎo)電層上分別制作N型電極層與P型電極層；在N型電極層與P型電極層上制作保護層；對保護層、N型電極層與P型電極層進行研磨拋光，使外延片的厚度自一初始厚度改變至一目標厚度；在保護層上制作與N型電極層連接的N型焊盤層，以及與P型電極層連接的P型焊盤層。本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中Micro‑LED芯片基本只能依靠金屬鍵合，而焊盤表面的不平整會導(dǎo)致鍵合時良率不高的技術(shù)問題。

    兆馳半導(dǎo)體：一種藍光Micro-LED的外延片及其制備方法

    12月10日，該專利進入授權(quán)階段。

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種藍光Micro-LED的外延片及其制備方法，外延片中多量子阱發(fā)光層包括依次層疊生長的第一淺藍光多量子阱層，第二淺藍光多量子阱層，第三藍光多量子阱層和第四淺藍光多量子阱層；第一淺藍光多量子阱層為依次周期性交替生長的第一InGaN多量子阱層與第一多量子阱復(fù)合壘層的超晶格結(jié)構(gòu)；第二淺藍光多量子阱層為依次周期性交替生長的第二InGaN多量子阱層與第二多量子阱復(fù)合壘層的超晶格結(jié)構(gòu)；第三藍光多量子阱層為依次周期性交替生長的第三InGaN多量子阱層與Si摻GaN多量子壘層的超晶格結(jié)構(gòu)；第四淺藍光多量子阱層為依次周期性交替生長的第四InGaN多量子阱層與的超晶格結(jié)構(gòu)。

    實施本發(fā)明，可提高Micro-LED在低工作電流密度下的光效、良率。

    兆馳半導(dǎo)體：一種藍光Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，提高光效、良率

    12月10日，該專利進入授權(quán)階段。

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種藍光Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，外延結(jié)構(gòu)包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，N型半導(dǎo)體層，低溫應(yīng)力釋放層，多量子阱發(fā)光層，電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層，所述多量子阱發(fā)光層包括由下至上依次層疊生長的第一淺藍光多量子阱子層，第二淺藍光多量子阱子層，第三藍光多量子阱子層和第四淺藍光多量子阱子層，其中每層子層均為InGaN多量子阱層與多量子壘層的超晶格結(jié)構(gòu)。

    實施本發(fā)明，可降低生長InGaN量子阱時的應(yīng)力，顯著改善多量子阱發(fā)光層的質(zhì)量，同時提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率，從而提高Micro-LED芯片在低工作電流密度下的光效、良率等性能，適用于小尺寸、低電流以及低功率的藍光Micro-LED。

    兆馳半導(dǎo)體：一種Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，提升發(fā)光亮度

    12月3日，該專利進入授權(quán)階段。

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述外延結(jié)構(gòu)包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，未摻雜的GaN層，N型摻雜GaN層，插入層，多量子阱層，電子阻擋層，P型摻雜GaN層和接觸層；其中，所述插入層包括于所述N型摻雜GaN層上依次設(shè)置的AlN層、圖形化的GaSb層、Al金屬層和InGaN層。

    在N型摻雜GaN層和多量子阱層之間設(shè)置插入層，可以降低生長多量子阱層時的應(yīng)力，并降低多量子阱層的位錯密度，提高多量子阱層的晶體質(zhì)量，從而提高Micro-LED的內(nèi)量子效率，降低工作電壓，提升發(fā)光亮度。

    先禾新材料：Micro-Led粘貼用導(dǎo)電銀膠及其制備方法與應(yīng)用方法，使Micro‑Led芯片被100%點亮

    先禾新材料（蘇州）有限公司申請一項名為“Micro-Led粘貼用導(dǎo)電銀膠及其制備方法與應(yīng)用方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118995105A，申請公布日為2024月11月22日，發(fā)明人為陳實、楊龍、涂照康、黃勇、熊勇。

    本發(fā)明公開了Micro‑Led粘貼用導(dǎo)電銀膠及其制備方法與應(yīng)用方法，其中制備方法包括：步驟S1：按質(zhì)量份計配備材料；步驟S2：將銀鹽、醇胺和醇酯溶劑避光條件下用行星式分散設(shè)備分散得到均一液態(tài)銀胺絡(luò)合液，避光冷凍存儲備用；步驟S3：將所述液態(tài)環(huán)氧樹脂、酸酐固化劑以及銀絡(luò)合液在避日光條件下用行星式分散設(shè)備分散得到粘度為1000cps‑5000cps導(dǎo)電銀膠。本方案可適用于口徑為3μm的EHD噴嘴，同時也能確保接收基材與Micro‑LED芯片的介面粘附大于芯片與底襯之間的作用力，并在導(dǎo)電銀膠固化后形成導(dǎo)電通路實現(xiàn)Micro‑Led芯片與金屬基板之間導(dǎo)電接觸，使Micro‑Led芯片被100%點亮。

    先禾新材料（蘇州）有限公司成立于2022年02月17日，注冊資本1,000萬(元)，是一家專業(yè)電子材料提供商，提供高性能的導(dǎo)熱、防護、導(dǎo)電、粘接等多系列的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信、汽車、消費電子、家用電器、工控、照明、半導(dǎo)體及電子元器件等領(lǐng)域。

    羅化芯：一種AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置及其制備方法，有效保護Micro‑LED芯片

    羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司申請一項名為“一種AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118969937A，申請公布日為2024月11月15日，發(fā)明人為李雍、陳文娟、王春桃。

    本發(fā)明涉及一種AR/VR全彩Micro‑LED顯示裝置及其制備方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本申請的AR/VR全彩Micro‑LED顯示裝置的制備方法中，通過設(shè)置層疊設(shè)置的第一保護層、第二保護層以及第三保護層，且第二保護層的密度大于第一保護層的密度，且所述第二保護層中臨近所述第一保護層的一側(cè)的密度小于所述第二保護層的另一側(cè)的密度，且兩側(cè)密度差為0.6‑1.5g/cm3；所述第三保護層的密度大于所述第二保護層的所述另一側(cè)的密度，通過設(shè)置密度逐漸變化的第二保護層，進而使得第二保護層的致密性逐漸提高，有效保護第一保護層的同時，使得第二保護層的外表面的剛性增加，且第三保護層的剛性更大，進而在后續(xù)轉(zhuǎn)移工序以及使用過程中，有效保護Micro‑LED芯片。

    思坦科技：Micro-LED發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備，簡化了發(fā)光結(jié)構(gòu)的加工流程

    深圳市思坦科技有限公司申請一項名為“ Micro-LED發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118919614A，申請公布日為2024月11月8日，發(fā)明人為吳濤、張珂。

    本申請?zhí)峁┝艘环NMicro‑LED發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法、Micro‑LED發(fā)光結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備。該制作方法包括：在襯底上生長緩沖層和外延層，在外延層上形成掩模鈍化層，干法刻蝕掩模鈍化層形成多個像素空間和多個像素隔離部，在刻蝕后的掩模鈍化層上逐層形成量子阱發(fā)光層、電子限制層和電流擴散層，應(yīng)用濕法工藝刻蝕像素隔離部直至顯露外延層，得到在像素空間中形成的側(cè)壁完好的臺階像素結(jié)構(gòu)。本申請的方法制作的Micro‑LED發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁完好，光電效率提升，該方法還簡化了發(fā)光結(jié)構(gòu)的加工流程。

    廈門未來顯示：一種具有疊層的Micro-LED芯片及其制作方法，解決刻蝕不凈現(xiàn)象

    乾照光電控股子公司廈門未來顯示技術(shù)研究院有限公司申請一項名為“ 一種具有疊層的Micro-LED芯片及其制作方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118919622A，申請公布日為2024月11月8日，發(fā)明人為段其濤、王樂、馮妍雪、江晟權(quán)、柯志杰。

    本發(fā)明提供了一種具有疊層的Micro‑LED芯片及其制作方法，利用呈階梯狀的疊層技術(shù)，使所有的P型半導(dǎo)體層在相應(yīng)的階梯面各自具有電極接入?yún)^(qū)域，可在實現(xiàn)第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨立驅(qū)動的基礎(chǔ)上，可最大限度地節(jié)省晶圓面積實現(xiàn)全彩化，降低生產(chǎn)成本；同時結(jié)合所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層和所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層通過絕緣鍵合層進行鍵合的設(shè)置，如此可避免聚合物粘合劑在鍵合所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)過程中所出現(xiàn)的因鍵合厚度不均勻而導(dǎo)致的刻蝕不凈現(xiàn)象。

    廈門未來顯示技術(shù)研究院有限公司成立于2020年04月15日，注冊資本1055 萬元人民幣，其中廈門乾照光電股份有限公司認繳出資額 1000 萬元，蘇州亞禾亞韓光電產(chǎn)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）認繳出資額 21.1 萬元，柯志杰認繳出資額 33.9 萬元。三者分別持股94.78673%、2%和3.21327%。

    湖南大學(xué)：防光串擾的堆疊結(jié)構(gòu)Micro-LED顯示模塊及其制備方法，減少光串擾現(xiàn)象、提高飽和度

    湖南大學(xué)申請一項名為“ 防光串擾的堆疊結(jié)構(gòu)Micro-LED顯示模塊及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119133208A，申請公布日為2024月12月13日，發(fā)明人為陳舒拉、廖小琴、易瀟、潘安練。

    本申請公開了防光串擾的堆疊結(jié)構(gòu)Micro‑LED顯示模塊及其制備方法；涉及光學(xué)半導(dǎo)體領(lǐng)域，該顯示模塊包括多個陣列設(shè)置的像素點單元，像素點單元包括堆疊設(shè)置的基板層和鈍化層，基板層和鈍化層之間設(shè)有多個發(fā)光區(qū)塊，多個發(fā)光區(qū)塊堆疊設(shè)置；每個發(fā)光區(qū)塊上均設(shè)有N電極，多個N電極之間相互不連通，多個發(fā)光區(qū)塊共同連接有P電極；N電極與P電極之間通過鈍化層隔絕；該方法是通過逐層堆疊并圖案化制備的該顯示模塊；本申請將多個發(fā)光區(qū)塊的電極分隔設(shè)置，正反向電壓或電流的控制下，使短波長LED對長波長LED光致發(fā)光效應(yīng)產(chǎn)生的光生載流子反向遷移，不在發(fā)光層復(fù)合發(fā)光，實現(xiàn)不同波長完全依靠電控制發(fā)光，在外加偏壓調(diào)控的情況下，減少多色堆疊Micro‑LED芯片中光串擾的現(xiàn)象，提高Micro‑LED顯示的飽和度。

    福州大學(xué)：一種基于電感儲能的共用數(shù)據(jù)引線彩色Micro-LED器件驅(qū)動結(jié)構(gòu)，簡化驅(qū)動結(jié)構(gòu)

    福州大學(xué)申請一項名為“ 一種基于電感儲能的共用數(shù)據(jù)引線彩色Micro-LED器件驅(qū)動結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119107899A，申請公布日為2024月12月10日，發(fā)明人為林珊玲、苗華康、林堅普、林志賢、呂珊紅、郭太良。

    本發(fā)明公開了一種基于電感儲能的共用數(shù)據(jù)引線彩色Micro‑LED器件驅(qū)動結(jié)構(gòu)，包括：原色像素電路、行掃描引線、列數(shù)據(jù)引線、P型溝道薄膜晶體管開關(guān)以及N型溝道薄膜晶體管開關(guān)；原色像素電路包括兩個相互并聯(lián)且電極相反的原色微發(fā)光二極管，兩個原色微發(fā)光二極管各自串聯(lián)一個儲能電感，原色像素電路與P型溝道薄膜晶體管的漏極相連接，原色像素電路的相對側(cè)分別接地和連接N型溝道薄膜晶體管開關(guān)的漏極；P型溝道薄膜晶體管開關(guān)的柵極與行掃描引線相連接，P型溝道薄膜晶體管開關(guān)的源極與列數(shù)據(jù)引線相連接；N型溝道薄膜晶體管開關(guān)的源極和柵極均連接至行掃描引線。本發(fā)明在保證發(fā)光成像質(zhì)量的同時，簡化驅(qū)動結(jié)構(gòu)。

    華中科技大學(xué)：一種光子晶體增強出光的深紫外micro-LED芯片及其制備方法，提高深紫外芯片的外量子效率

    華中科技大學(xué)申請一項名為“一種光子晶體增強出光的深紫外micro-LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119069586A，申請公布日為2024月12月3日，發(fā)明人為魏御繁、陳楨宇、戴江南。

    本發(fā)明涉及光子晶體增強出光的深紫外micro‑LED芯片及其制備方法，屬于發(fā)光電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在MESA臺面周圍暴露的n‑AlGaN外延層利用納米球刻蝕技術(shù)制備出周期性光子晶體結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)深紫外micro‑LED光提取的提高。本發(fā)明提出通過在暴露的n‑AlGaN層引入周期與有源層發(fā)射波長相當?shù)墓庾泳�體結(jié)構(gòu)，通過光柵衍射效應(yīng)增加了光的散射路徑，提高了深紫外micro‑LED的光提取效率；同時選擇對紫外光具有較高反射率的Al基金屬膜作為N電極連接金屬，不僅可以連接不同臺面周圍的N電極以形成完整回路，又可反射紫外光至襯底一側(cè)，進一步提高了芯片的光提取效率，最終提高了整個深紫外芯片的外量子效率。

    武漢大學(xué)：一種基于空腔圖形化襯底的Micro-LED芯片制備方法，提升芯片的光電性能

    武漢大學(xué)申請一項名為“ 一種基于空腔圖形化襯底的Micro-LED芯片制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119050209A，申請公布日為2024月12月13日，發(fā)明人為周圣軍、廖喆夫、蔣晶晶。

    本發(fā)明公開了一種基于空腔圖形化襯底的Micro‑LED芯片制備方法，包括：1)提供外延片，所述包括襯底和外延層，所述外延層包括AlN緩沖層、n‑GaN層、有源區(qū)層、p‑AlGaN電子阻擋層和p‑GaN層；2)在所述p‑GaN層表面沉積一層SiO2保護層；3)利用納秒脈沖激光對所述外延層進行掃描刻蝕，形成溝槽；4)利用熱化學(xué)腐蝕對所述溝槽進行腐蝕，在所述襯底與所述AlN緩沖層界面靠近所述溝槽區(qū)域形成空腔微結(jié)構(gòu)；5)去除步驟2)中所述SiO2保護層，引入ITO層，并對所述ITO層進行刻蝕以形成圖形化ITO層；6)在所述圖形化ITO層上沉積一層SiO2鈍化層，在所述SiO2鈍化層蒸鍍p電極和n電極，形成所述Micro‑LED芯片。該方法制備的Micro‑LED芯片的正面光輸出功率，提升了芯片的光電性能。

    閩都創(chuàng)新實驗室：一種全彩多功能Micro-LED顯示裝置及制備方法、光源器件，實現(xiàn)高分辨、高色域、高對比度、低能耗

    閩都創(chuàng)新實驗室申請一項名為“ 一種全彩多功能Micro-LED顯示裝置及制備方法、光源器件”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119050242A，申請公布日為2024月11月29日，發(fā)明人為關(guān)天用、李陽。

    本發(fā)明公開了一種全彩多功能Micro‑LED顯示裝置及制備方法、光源器件，該裝置通過噴墨打印技術(shù)集成了紅、綠、近紅外量子點像素陣列，不僅實現(xiàn)了高分辨、高色域、高對比度、低能耗的顯示效果，而且還具備了面部識別和多參數(shù)生理監(jiān)測的附加功能。所述的裝置以藍光Micro‑LED芯片作為激發(fā)光源，通過噴墨打印方式在芯片上形成紅、綠、近紅外像素陣列，實現(xiàn)全彩顯示的同時，利用近紅外量子點較高的組織穿透能力，裝置可以進行面部特征的非接觸式識別和多種生理參數(shù)的檢測。該裝置在智能顯示、安全監(jiān)控和健康監(jiān)測等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。

    中科院納米研究所：Micro-LED芯片及其制備方法與應(yīng)用，提高芯片的生產(chǎn)效率和良品率

    中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請一項名為“ Micro-LED芯片及其制備方法與應(yīng)用”的發(fā)明專利，申請公布號為CN119008821A，申請公布日為2024月11月21日，發(fā)明人為張曉東、查強、夏先海、曾中明、張寶順。

    本發(fā)明公開了一種Micro‑LED芯片及其制備方法與應(yīng)用。該Micro‑LED芯片包括LED芯片結(jié)構(gòu)和第一超表面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，該第一超表面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層包括：電性結(jié)合于LED芯片結(jié)構(gòu)的出光面上的第一導(dǎo)電層；以及，與第一導(dǎo)電層層疊設(shè)置和/或一體設(shè)置的超表面結(jié)構(gòu)；該超表面結(jié)構(gòu)至少用于對從該出光面射出的光的出射角度或波長進行調(diào)控。基于本發(fā)明的技術(shù)方案，可以實現(xiàn)Micro‑LED芯片的全彩化，增加出光率和準直性，并可以采用大規(guī)模標準半導(dǎo)體工藝制程實現(xiàn)Micro‑LED芯片的制備和Micro‑LED像素與顯示單元的一體化，提高Micro‑LED芯片的生產(chǎn)效率和良品率、降低成本。