九州大學(xué)研究員利用單線態(tài)裂變實現(xiàn)IQE＞100%的近紅外OLED發(fā)光體

    日本九州大學(xué)的研究人員日前開發(fā)出一種名為單線態(tài)裂變（singlet fission）的新技術(shù)，使近紅外OLED材料能夠超越激子產(chǎn)生的100%限制，或者說超過100%的內(nèi)部量子效率（IQE）。單線態(tài)裂變已經(jīng)被用于OPV，但用于OLED尚屬首次。

    超越100%是可能的，因為在100% IQE時，所有電荷都會形成發(fā)光的激子。新技術(shù)將能量從高能激子分裂為兩個低能激子。新的OLED發(fā)光材料使用的分子能在保留一半能量的同時將另一半能量轉(zhuǎn)移給相鄰分子，即每個單線產(chǎn)生2個三聯(lián)體。發(fā)光體發(fā)射近紅外光。

    在他們的第一項研究中，研究人員的IQE達到了100.8%。通過對材料進行增強，IQE被提高到125%——這被認為是目前的極限值，因為OLED發(fā)光體產(chǎn)生25%單線態(tài)和75%三聯(lián)體。研究人員還將研究如何將三聯(lián)體轉(zhuǎn)化為單線態(tài)，這可能將IQE提高到200%。